Компании Intel и Micron Technology сообщили о разработке первого в индустрии NAND-чипа с топографическим уровнем менее 40 нм. Созданная компаниями 34-нм микросхема памяти с многоуровневой структурой ячеек вмещает 32 Гбит данных, то есть 4 ГБ. Чип был изготовлен Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием компаний Intel и Micron Technology. «Данный 32-гигабитный чип предлагает самую высокую плотность данных на рынке», - комментирует президент Micron Memory Group Брайан Ширли (Brian Shirley).